메모리 및 에너지 소자용 플루오라이트 구조 강유전체 및 반강유전체
Fluorite Structure Ferroelectrics and Antiferroelectrics for Memory and Energy Applications
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박민혁 부산대학교 2011년 독일의 NaMLab과 Fraunhofer 연구소에서 처음 실리콘 도핑된 산화하프늄 박막에서 나타나는 강유전성을 보고한 이후 플루오라이트 구조 기반의 강유전체 및 반강유전체에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.[1,2] 플루오라이트 구조 강유전체는 기존 강유전체에 비해서 메모리 소자의 집적화의 부분에서 훨씬 유리한 특성을 가지며 실리콘이나 CMOS 응용에 적합한 특징으로 유망한 차세대 물질로 많은 관심을 끌고 있다.[2] 또한, 플루오라이트 강유전체의 경우에는 에너지 저장/하베스팅, 고체상태 냉각등의 응용에 유망할 수 있다는 결과가 보고되어 많은 관심을 끌고 있다.[2-4] 또한, 박막의 조성과 두께를 제어함으로써 강유전체와 반강유전체 결정상의 Morphotrophic Phase Boundary (MPB)를 이용하면, 두 결정상과 차별화된 물성을 얻을 수 있다는 결과도 최근 보고되었다.[5] 적당한 조성 제어를 통해서 메모리 및 에너지 소자에 응용할 수 있는 특성을 보이는 점 때문에 플루오라이트 구조 산화물은 IoT 분야 응용에 유망항 물질로 여겨진다. 본 발표에서는 플루오라이트 구조 기반 강유전체, 반강유전체의 IoT 분야 응용을 위한 기초적 물성에 대한 연구 결과들에 대해서 발표하고자 한다. 참고문헌 [1] T. S. Boescke et al. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 102903. [2] M. H. Park et al. Adv. Mater. 2015, 27, 1811. [3] M. H. Park et al. Adv. Energy Mater. 2014, 4, 1400610. [4] M. H. Park et al. Nano Energy 2015, 12, 131. [5] M. H. Park et al. ACS Appl. Mater. Interfaces 2018, 10, 42666. |